《B类推挽放大器的准瞬态》萨本栋A.P.Sah
左增军 / 2026-07-10
上篇文章《聊聊麦景图电路与单端推挽》提到了，Frank H Mcintosh（麦景图）和Alexander B. Bereskin（亚历山大·B·贝雷斯金）申请专利的时候，都提到了A.P.Sah d的《B类音频频率推挽放大器》论文：QUASI TRANSIENTS IN CLASS B AUDIO -FREQUENCY PUSH-PULL AMPLIFIERS（B类音频推挽放大器的准瞬态），发表于1936年美国的《IRE（Institute of Radio Engineers）》刊物上。
本论文主要针对输出变压器的漏感(leakage inductance)所产生的准瞬态(quasi transients)-即周期性重复出现的指数项。本文给出了当放大器进入稳态(permanent state)后，板压(plate voltage)、板流(plate current)及输出电流波形中这些准瞬态的确定方程。文中还给出基于三绕组变压器(three-circuit transformer)理论的等效电路，用以说明方程中各项的物理意义，并附有拍摄的波形，以佐证理论计算曲线。
看了这篇文章以后，意犹未尽，遂对作者的情况进行搜索，很惭愧，这才知道我国有这样一位著名的科学家~Adam PEN-Tung Sah（萨本栋）。下面就先来了解一下：
萨本栋（字亚栋）(1902～1949)，中国物理学家、电机工程学家、教育家。1902年7月24日生于福建。萨本栋少年时，在福州求学，后入北京清华学堂，1921年以优异成绩毕业，并被选派留学。1922年赴美，先后在斯坦福大学和伍斯特工学院攻读电机工程和物理学，1924年获学士学位，1927年获理学博士学位。1928年回国，任清华大学物理系教授。1937年任厦门大学校长。1945年任中央研究院总干事兼物理研究所所长。抗战胜利后，致力于恢复和建设中央研究院。1948年末赴美就医，1949年1月31日在旧金山逝世，终年47岁。
1935年9月，萨本栋应美国俄亥俄大学电机工程系邀请担任客座教授，他将在美期间所讲授的应用并矢量方法解决电路的计算和分析等内容进行分析和总结，撰写成学术论文《应用于三相电路的并矢代数》，在美国电气工程师学会学报上发表，被普遍认为是开拓了电机工程的一个新研究领域，萨本栋随即又在这篇论文的基础上加以充实和完善，用英文撰写了《并矢电路分析》这一学术专著，该书集数学、物理、电机三角地带最新理论，在国际电机工程研究中，属于全新前沿课题。因此，《并矢电路分析》甫一出版，立即被入选国际电工丛书，获得了美国“1937年度理论和研究最佳文章荣誉奖”。鉴于萨本栋在电机工程学上的突出贡献，被美国电气工程师学会接纳为外籍会员，中国电机工程师学会也向萨本栋颁发了荣誉奖章。
萨本栋十项中国第一：
1．第一位被美国 Westinghouse 电机制造公司聘请为工程师的中国专家。在当时中美的科技差距下，这是难能可贵的（1927-1928)。
2．第一位编纂了类似现在通用的英汉对照的《物理学名词汇》，为统一全国物理学译名奠定了良好的基础（1932）。
3．第一任中国物理学会的会计和秘书（1932-1937)。
4．第一位用中文编著出版我国高校的物理学教材《普通物理学》上、下册（1933）以及配套教材《普通物理学实验》(1936)。在此之前，我国高校的此类教材都是用英文的。
5．第一位中国学者发表的论文被美国电机工程师学会选定为全国会议讨论课题（冬季会议，1937.1)，其论文题目是《Dyadic Algebra Applied to 3-Phase Cir-cuits》，发表于美国的 Trans. AIEE (1936)。
6．第一位中国科学家荣获美国的“理论和研究最佳文章荣誉奖”(1937)，获奖文章的题目就是上述第5项的论文。
7．第一任国立厦门大学校长（1937-1945)。
8．第一位中国科学家的著作被收入国际电工丛书，其书名是《Dyadic Circuit Analysis》(1939)。
9．第一位荣获中国电机工程师学会荣誉奖章，获奖项目是前述第5项的文章和第8项的专著（1939）。
10．第一位中国自然科学家编写的自然科学著作被外国高校广泛采用为教材。其书名是《Fundamentals of Alternating Current Machines》(1946)。
萨本栋，本乃国之栋梁，可惜。。。他有两个卓有成就的儿子：Sah Chih-Tang萨志唐、Chih-Han Sah萨志汉。志在汉唐，发光于联邦。。。
萨志唐最著名的成就是与弗兰克·万拉斯（Frank Wanlass）于1963年在仙童半导体公司共同发明了CMOS（互补金属氧化物半导体）逻辑电路。CMOS技术被广泛应用于几乎所有现代超大规模集成电路（VLSI）半导体器件中。后于1956年加入威廉·肖克利公司，并于1959年至1964年在位于帕洛阿尔托的仙童半导体公司继续深造。之后，他成为伊利诺伊大学物理与电气工程系的教授，任教长达25年（1962-1988）。在仙童半导体公司，他领导着一个由64名成员组成的物理部门，致力于开发第一代硅双极型和MOS晶体管以及集成电路技术的制造技术（氧化、扩散、外延生长和金属导电薄膜沉积），这些技术包括用于杂质扩散的氧化物掩蔽、稳定的硅(Si) MOS晶体管、CMOS电路、低频噪声的起源、首个电路模拟器中使用的MOS晶体管模型、薄膜集成电阻以及用于双极型集成电路生产的Si外延工艺。
在1963年至1978年间，他被科学信息研究所列为全球被引用次数最多的1000位科学家之一。他是美国物理学会、富兰克林学会和电气电子工程师协会的终身会士，美国科学促进会会士，美国国家工程院院士（1986年），中央研究院院士（1998年），中国科学院院士（2000年）。他先后被任命为清华大学（2003年）、北京大学（2003年）和厦门大学（2004年）的荣誉教授。他编写了三卷本教科书《固态电子学基础》 （FSSE，1991）。
萨志汉是纽约州立大学石溪分校的数学家和教授。。。
下面贴出萨本栋的论文~有需要pdf文件的请在下面留言：
